Automatic commit. Mon Aug 20 12:00:04 WST 2012
[matches/honours.git] / thesis / thesis.tex
1 \documentclass[10pt]{article}
2 \usepackage{graphicx}
3 \usepackage{caption}
4 \usepackage{amsmath} % needed for math align
5 \usepackage{bm} % needed for maths bold face
6  \usepackage{graphicx}    % needed for including graphics e.g. EPS, PS
7 \usepackage{fancyhdr}   % needed for header
8
9 \usepackage{hyperref}
10
11  \topmargin -1.5cm        % read Lamport p.163
12  \oddsidemargin -0.04cm   % read Lamport p.163
13  \evensidemargin -0.04cm  % same as oddsidemargin but for left-hand pages
14  \textwidth 16.59cm
15  \textheight 21.94cm 
16  %\pagestyle{empty}       % Uncomment if don't want page numbers
17  \parskip 7.2pt           % sets spacing between paragraphs
18  %\renewcommand{\baselinestretch}{1.5}  % Uncomment for 1.5 spacing between lines
19  \parindent 0pt           % sets leading space for paragraphs
20
21
22 \newcommand{\vect}[1]{\boldsymbol{#1}} % Draw a vector
23 \newcommand{\divg}[1]{\nabla \cdot #1} % divergence
24 \newcommand{\curl}[1]{\nabla \times #1} % curl
25 \newcommand{\grad}[1]{\nabla #1} %gradient
26 \newcommand{\pd}[3][ ]{\frac{\partial^{#1} #2}{\partial #3^{#1}}} %partial derivative
27 \newcommand{\der}[3][ ]{\frac{d^{#1} #2}{d #3^{#1}}} %full derivative
28 \newcommand{\phasor}[1]{\tilde{#1}} % make a phasor
29 \newcommand{\laplacian}[1]{\nabla^2 {#1}} % The laplacian operator
30
31 \usepackage{color}
32 \usepackage{listings}
33
34 \definecolor{darkgray}{rgb}{0.95,0.95,0.95}
35 \definecolor{darkred}{rgb}{0.75,0,0}
36 \definecolor{darkblue}{rgb}{0,0,0.75}
37 \definecolor{pink}{rgb}{1,0.5,0.5}
38 \lstset{language=Java}
39 \lstset{backgroundcolor=\color{darkgray}}
40 \lstset{numbers=left, numberstyle=\tiny, stepnumber=1, numbersep=5pt}
41 \lstset{keywordstyle=\color{darkred}\bfseries}
42 \lstset{commentstyle=\color{darkblue}}
43 %\lstset{stringsyle=\color{red}}
44 \lstset{showstringspaces=false}
45 \lstset{basicstyle=\small}
46
47
48 \begin{document}
49
50 \pagestyle{fancy}
51 \fancyhead{}
52 \fancyfoot{}
53
54 \fancyhead[LO, L]{}
55 \fancyfoot[CO, C]{\thepage}
56
57 %\title{\bf Characterisation of nanostructured thin films}
58 %\author{Sam Moore\\ School of Physics, University of Western Australia}
59 %\date{April 2012}
60 %\maketitle
61
62 \begin{center}
63         B.Sc. (Hons) Physics Project \par
64         {\bf \Large Thesis} \par
65         Samuel Moore \\
66         School of Physics, University of Western Australia \\
67         April 2012
68 \end{center}
69 \section*{Characterisation of Nanostructured Thin Films}
70 {\bf \emph{Keywords:}} surface plasmons, nanostructures, spectroscopy, metallic-blacks \\
71 {\bf \emph{Supervisers:}} W/Prof. James Williams (UWA), Prof. Sergey Samarin (UWA) \\
72
73
74 %\tableofcontents
75
76 \section*{Acknowledgements}
77
78 \begin{itemize}
79         \item Sergey Samarin
80         \item Jim Williams
81         \item Paul Guagliardo
82         \item Nikita Kostylev
83         \item Workshop (for producing electron gun mount?)
84         \item Peter Hammond (?)
85 \end{itemize}
86
87 \section{Introduction}
88 \begin{itemize}
89         \item Waffle about motivation for the project
90         \begin{itemize}
91                 \item Metal-Black films may have application for ... something.
92                 \begin{itemize}
93                         \item Radiometer vanes, IR detectors
94                         \item Number of applications where high absorbance into IR is required
95                         \item These have all been studied before though. 
96                 \end{itemize}
97                 \item The electron spectra of metal-blacks have not yet been examined.
98                 \item Remarkable difference between Metal-Black films (bad vacuum) and normal metal films (UHV)
99                 \begin{itemize}
100                         \item No (detailed/satisfactory) explanation (that I can find...) for difference
101                 \end{itemize}
102                 \item Talk about plasmonic based computing? Moore's law? Applications to thin film solar cells?
103
104         \end{itemize}
105         \item Specific aims of project
106         \begin{enumerate}
107                 \item Surface density of states / band structure of Black-Au films using TCS (The main aim)
108                 \item Identification of plasmonic effects in Black-Au films (?) (If they even exist!)
109                 \begin{itemize}
110                         \item Identify plasmonic effects in Au and Ag films with Ellipsometry (this is fairly simple to do)
111                 \end{itemize}
112                 \item Combination of Ellipsometry and TCS to characterise thin films (not just Black-Au)
113                 \begin{itemize}
114                         \item Ie: How can one technique be used to support the other?
115                 \end{itemize}
116         \end{enumerate}
117         \item Structure of thesis
118 \end{itemize}
119
120 \section{Overview of Theory}
121 Summarise the literature, refer to past research etc
122
123 \subsection{Electron Spectra of Solids and Surface}
124
125 \begin{itemize}
126         \item Overview of section
127 \end{itemize}
128
129 In this section, we will first introduce the basic concepts needed to describe the electron spectra of solids. A short description of methods for calculating the electron spectra will be given, and the results shown by these calculations. We will then discuss the electron spectra for the near surface region of solids, compared to the ``bulk'' spectra far from the surface.
130
131
132 \subsubsection{Description of Matter in the Solid State}
133
134 \begin{itemize}
135         \item Define and describe solid geometrically
136         \begin{itemize}
137                 \item Basis + Lattice
138                 \item Basis groups are assumed to be fixed relative to the lattice
139         \end{itemize}
140         \item Describe general properties of the potentials seen by electrons in solids
141 \end{itemize}
142
143 In the simplest models, a solid is represented by an infinite crystalline lattice; a geometrically repeated arrangement of some basis group of atoms. The nuclei of atoms are assumed to remain in fixed positions. 
144
145 The potential seen by an electron in the lattice is periodic. For a single nuclei, the potential seen by an electron is 
146
147 \subsubsection{Calculation of Electron Spectra}
148
149 \begin{itemize}
150         \item Define electron spectra
151         \begin{enumerate}
152                 \item 
153         \end{enumerate}
154         \item Free electron gas
155         \item Free electron entering a periodic potential
156         \item Potentials of real solids
157         \item Single vs Multiple electrons
158         \item Numerical calculations
159         \begin{itemize}
160                 \item TODO: Actually research this
161                 \item Find a comparison with a real experimental result
162         \end{itemize}
163         \item 
164 \end{itemize}
165
166
167 \subsubsection{The Near-Surface Region}
168
169 \begin{itemize}
170         \item Real solids have surfaces
171         \item Differences between surface region and bulk
172         \begin{itemize}
173                 \item Resulting differences in potential
174         \end{itemize}
175         \item How the electron spectra may differ from bulk values
176         \begin{itemize}
177                 \item Surface states
178                 \begin{itemize}
179                         \item Tamm \& Shockley States
180                 \end{itemize}
181         \end{itemize}
182 \end{itemize}
183
184 In the preceeding sections, solids were assumed to have infinite spatial extent. In practice, any real solid occupies a finite volume in space. Any interactions between a solid and its environment take place at the surface of the solid. As the volume of the solid is decreased, the role of the surface region in determining the behaviour of the solid in its environment is increased.
185
186
187
188
189 \begin{itemize}
190         \item Description of the near surface region
191         \begin{itemize}
192                 \item All real solids occupy finite volumes in space.
193                 \item The surface of a solid is important because interactions between the solid and its surroundings occur in the near surface region.
194                 \item Characterised physically by:
195                 \begin{itemize}
196                         \item Termination of periodic crystal lattice
197                         \item Violation of geometric order
198                         \item Distortion of interatomic distances and hence interaction forces
199                         \item There is a transition ``near surface'' region between bulk and surface properties, roughly 5 atomic distances. 
200                 \end{itemize}
201                 \item Potential seen by an electron at a surface can differ greatly from the bulk
202                 \item $\implies$ the electron spectra of the near surface region differs from the bulk spectra
203                 \item Simplest case: Step potential at surface.
204                 
205         \end{itemize}
206
207         \item The Electron Spectra
208         \begin{itemize}
209                 \item Electron Spectra describes the energy eigenstates for an electron in a Bulk or Surface potential
210                 \item Characterised by 
211                 \begin{enumerate}
212                         \item Energy dispersion $E(\vect{k})$
213                         \begin{itemize}
214                                 \item Dependence of Energy on electron wave vector
215                                 \item Obtained theoretically by solving Scrhrodinger's Equation
216                                 \item For a free electron gas, $E = \frac{\hbar^2 k^2}{2m}$
217                                 \item Periodic potential in bulk solid leads to band gap structure of $E(\vect{k})$
218                                 \item Periodic potential $\implies$ E is periodic. Only needs to be defined in first Brillouin zone.
219                         \end{itemize}
220                         \item Density of States $N(E)$
221                         \begin{itemize}
222                                 \item $N(E) = \frac{\Delta N}{\Delta E} = \frac{1}{4\pi^3}\int_S\left(\der{E}{k}\right)^{-1} dS$
223                                 \item Integral is in momentum space over the isoenergetic surface of energy $E$
224                                 \item For a free electron gas, $N(E) = $
225                         \end{itemize}
226                 \end{enumerate}
227         \end{itemize}
228
229         \item Surface states
230         \begin{itemize}
231                         \item Simplest model: Step potential
232                         \item Two major models  
233                 \begin{enumerate}
234                         \item Tamm States: Periodic potential in solid, free space outside, jump at surface
235                         \begin{itemize}
236                                 \item Energy eigenvalues lie in the forbidden band of the bulk spectra
237                                 \item Attenuation of eigenvalues from surface to vacuum, oscillation of state within surface
238                                 \item Max electron density occurs on the crystal surface
239                         \end{itemize}
240                         \item Shockley states: Potential of surface and bulk cells equal
241                         \begin{itemize}
242                                 \item Corresond to free valences (dangling bonds) at the surface
243                         \end{itemize}
244                 \end{enumerate}
245                 \item Tamm and Shockley states arise from two extreme models (large change and small change respectively between bulk and surface). In reality, a combination of Tamm and Shockley states appear.
246                 \item These states arise from termination of the lattice; but the surface cells are assumed undistorted
247                 \item In reality surface cells are distorted by relaxation and reconstruction of the surface
248         \end{itemize}
249
250         \item Main reference: Komolov "Total Current Spectroscopy"
251         \item "Solid State Physics" textbooks and "Electron Spectroscopy" textbooks 
252 \end{itemize}
253
254 \subsection{Plasmonics}
255 I really think I should actually find plasmonic effects before writing too much about them...
256 \begin{itemize}
257         \item Charge density oscillations
258         \item Surface and bulk plasmons
259         \item Pines and Bohm
260         \item Review article from T.W.H Oates et al about using Ellipsometry to characterise plasmonic effects
261 \end{itemize}
262
263 \subsection{Metallic-Black Thin Films}
264 \begin{itemize}
265         \item How they are made (bad vacuum, in air or a noble gas)
266         \begin{itemize}
267                 \item If made in air, there are usually tungsten oxides present (from filament). Refer to paper by Pfund.
268         \end{itemize}
269         \item Structural difference between Black-Au and ``Shiny'' (need a better term) Au
270         \begin{itemize}
271                 \item Can include electron microscopy images?
272                 \item An actual photograph of a Black-Au film? Not necessary?
273         \end{itemize}
274         \item Pfund (earliest publisher, preparation and general properties)
275         \item Louis Harris (most research in 50s and 60s)
276         \begin{itemize}
277                 \item L. Harris mostly did transmission spectroscopy in the far infra red (well beyond the ellipsometer and Ocean Optics spectrometer ranges)
278                 \item The really crappy measurements I did with the Ocean Optics spectrometer seem to agree with these measurements
279                 \begin{itemize}
280                         \item L. Harris' $\lambda$ has a range of 1nm to $100\mu$m; my measurements are only to $1\mu$m
281                         \item Agreement in first $1\mu$m anyway
282                         \item I should probably re-do those measurements with a less crappy setup, if I actually want to use them
283                 \end{itemize}
284                 \item Harris related the optical properties to the structure of the film (condensor strands) via the electronic properties
285         \end{itemize}
286         \item Plasmonic effects - Deep R. Panjwani (honours thesis)
287         \begin{itemize}
288                 \item Not sure if I can use an honours thesis as a reference.
289                 \item Concluded that surface plasmon resonance in Black-Au film on solar cells lead to increase in solar cell efficiency
290                 \item Used simulation that modelled Black-Au film as spherical balls to show E field increased by plasmon resonance
291                 \begin{itemize}
292                         \item Was this model appropriate? Black-Au is more ``smoke'' or ``strand'' like according to other references. Images also do not show ``blob'' like structure.
293                 \end{itemize}
294                 \item Need to read this reference more thoroughly
295         \end{itemize}
296 \end{itemize}
297
298 \section{Experimental Techniques}
299
300 \subsection{Secondary Electron Spectroscopy}
301
302 Secondary Electron Spectroscopy encompasses a large group of techniques used for studying the electron spectra of surfaces and solids. In these methods a beam of primary electrons is directed at the surface of a solid. The interactions between primary electrons and the surface give rise to a flux of secondary electrons scattered from the surface. Analysis of this secondary electron flux gives information about the interaction between primary electrons and the surface.
303
304 \subsubsection{Electron-Surface Interactions}
305
306
307 \subsubsection{Methods of Secondary Electron Spectroscopy}
308
309 Energy-resolved methods of Secondary Electron Spectroscopy are based upon observation of the secondary electron energy distribution at a fixed primary electron energy. The primary electron energy determines which processes are possible, whilst the observed distribution can be related to the probability distribution for the possible processes.
310
311 In contrast to Energy-resolved methods, Total Current (or Yield) methods are based on observation of the total current of secondary electrons as a function of primary electron energy. As the primary electron energy is increased, the threshold energies for particular processes are passed. This 
312
313 Both Energy-resolved and Total Current methods can be performed 
314
315 \subsection{Total Current Secondary Electron Spectroscopy}
316
317 Figure \ref{} shows a simplified schematic for the Total Current Spectroscopy experiments conducted during this study. Electrons are emitted from a cathode held at negative potential relative to the target. The electron beam is focused and accelerated onto the target by the electric field of an electron gun. A detector is used to measure the total current passing through the target.
318
319 \subsubsection{Electron Optics}
320
321 The electron gun used for this experiment was repurposed from an old Cathode-Ray Oscilloscope (CRO). Figure \ref{} shows a simplified diagram of the electron gun, whilst Figure \ref{} shows a photograph of the gun. 
322
323
324
325 The full circuit diagram for the electron gun control circuit is shown in Appendix A.
326
327 \subsubsection{Automatic Data Acquisition}
328
329 In order to collect data on the large number of planned samples for the study, some form of automation was required. The automated system needed to be able to incrementally set the initial energy by controlling a power supply, and record the total current measured by an ammeter.
330
331 The available power supplies at CAMSP only featured analogue inputs for external control. This meant that a Digital to Analogue Convertor (DAC) card was needed to interface between the control computer and the power supply. In addition, the available instruments for current measurement at CAMSP produced analogue outputs. As a result, Analogue to Digital Convertors (ADCs) would be required to automate the recording of total current.
332
333 Although an external DAC/ADC box was already available for these purposes, initial tests showed that the ADCs on the box did not function. The decision was made to design and construct a custom DAC/ADC box, rather than wait up to two months for a commercial box to arrive. The design of the custom DAC/ADC box is discussed in detail in Appendix B, and the software written for the on-board microprocessor and the controlling computer are presented in Appendix C.
334
335
336
337
338
339 \begin{itemize}
340         \item Black-Au - 1e-2 mbar vacuum
341         \item ``Shiny'' - 1e-6 / 1e-7
342         \item Current of ~3.5A through W wire filament spot welded onto Ta strips in turn spot welded to Mo posts
343         \item Voltage through filament is ~1 V; quote the power?
344         \item Filament isotropically coats sample with desired material.
345         \item Possibly get a curve of Au thickness estimated with Ellipsometry vs exposure time?
346         \begin{itemize}
347                 \item Probably too much work and too unreliable
348                 \item Maybe do it, but only use 2/3 data points
349                 \item Low priority
350         \end{itemize}
351 \end{itemize}
352
353 \subsection{Electron Spectroscopy}
354
355 Secondary electron spectroscopy methods are a broad class of methods which investigate surface electron spectra through observing processes in which the surface electrons participate directly \cite{komolov}. 
356
357 Total Current Spectroscopy is a group of electron secondary 
358
359 \begin{itemize}
360         \item 
361         \item Total Current Spectroscopy methods measure the total current of secondary electrons as a function of primary electron energy.
362         \item These methods are distinguished from ``differential'' methods (such as Auger electron spectroscopy and energy loss spectroscopy) which measure the secondary electron spectrum at a fixed primary electron energy.
363         \item 
364         \begin{itemize}
365                 \item Low energy beam of electrons incident on sample
366                 \item Measure slope of resulting I-V curve
367                 \item Relate to density of states and electron band structure (Komolov chapter 3.2)
368         \end{itemize}
369         \item Description of apparatus
370         \begin{itemize}
371                 \item Electron gun and filament
372                 \item Electron gun control box
373                 \item ADC/DAC control box and data processing
374         \end{itemize}
375         \item Photographs vs Diagrams
376         \begin{itemize}
377                 \item Prefer diagrams to photographs
378                 \item Especially for the ADC/DAC control box circuit. Because it looks like a horrible mess.
379         \end{itemize}
380 \end{itemize}
381
382 \subsection{Ellipsometry and Transmission Spectroscopy}
383 \begin{itemize}
384         \item Overview of techniques
385         \item Description of apparatus (use VASE manual)
386         \item Ocean Optics spectrometer? Usable?
387         \item Application of Ellipsometry to finding plasmonic effects
388         \begin{itemize}
389                 \item Surface plasmons = E oscillation parallel to surface $\implies$ only $p$ component of light excites plasmons
390         \end{itemize}
391 \end{itemize}
392
393 \section{Experimental Results and Discussion}
394 \subsection{TCS Measurements}
395 \begin{itemize}
396         \item TCS for Si
397         \item TCS for Si + Au
398         \item TCS for Si + Black-Au
399         \item Affect of preparation pressure on TCS for Si + Black-Au
400         \item Repeat for Si + Ag and Si + Black-Ag (?)
401 \end{itemize}
402
403 \subsection{Ellipsometric Measurements}
404 \begin{itemize}
405         \item Ellipsometry to estimate thickness of SiO2 layer on Si
406         \item Estimate thickness of Au/Ag on Si+SiO2
407         \item Ellipsometric measurements of Si+Black-Au/Ag
408         \begin{itemize}
409                 \item Modelling procedures to characterise Black-Au/Ag
410         \end{itemize}
411         \item Ellipsometric measurements of Glass+Black-Au/Ag (?)
412         \item Transmission spectra of Glass+Black-Au/Ag from earlier in year (?)
413 \end{itemize}
414
415 \section{Achievements}
416 \begin{itemize}
417         \item Deposition of thin films of Au and Black-Au in vacuum chamber
418         \item Ellipsometric and spectroscopic measurements on these films
419         \item Repurpose vacuum chamber for sample preparation and TCS experiments
420         \item Designed and built electronics for TCS experiments
421         \begin{itemize}
422                 \item Electron gun control box
423                 \item ADC/DAC box
424         \end{itemize}
425         \item Wrote software for data aquisition and data processing
426 \end{itemize}
427
428 \section{General notes}
429 \subsection{TCS}
430 \begin{itemize}
431         \item Optimise setup of gun
432         \begin{itemize}
433                 \item Emission current. How much does it vary, why does it vary.
434                 \item Why does Is/Ie curve shift with successive sweeps? Does sweep modify sample's surface?
435                 \item Is sample holder acceptable? Are ceramic washers accumulating charge?
436                 \item How do I tell when the setup is optimised... 
437                 ``The setup was optimised by looking for an S curve''. Very scientific.
438                 \item The gun was focused on the phosphor screen... and then I turned it around, changing the distance from the gun to the sample. Brilliant.
439         \end{itemize}
440         \item Obtain TCS spectra for Si that compares well with literature
441         \begin{itemize}
442                 \item How to relate TCS spectrum to $n(E)$ and $E(\vect{k})$
443         \end{itemize}
444         \item Prepare Au films, obtain TCS spectra that compares with literature
445         \item Obtain TCS spectra of Black-Au films
446         \item Use results to compare properties of films with results from other methods in the literature
447         \item Uncertainties
448         \begin{itemize}
449                 \item Oscilloscope measurements of inputs to ADC channels under controlled conditions
450                 \begin{itemize}
451                         \item Expected values are +/-3mV due to ADC channel, +/-300mV due to 610B, +/-1mV due to 602
452                         \item 610B and 602 will probably be worse because they are ancient
453                         \item There is about 200mV of noise between the GND of the ADC box and the electron control box.
454                         \item How to reduce ground loops? Not much I can do. Rack is now also grounded to water pipe, but this doesn't seem to make a difference.
455                 \end{itemize}
456                 \item Stupid 50Hz AC noise... how to reduce with filters and/or averaging
457         \end{itemize}
458         \item Create circuit diagrams for Electron gun circuit
459         \item Create circuit diagrams for ADC/DAC box
460         \begin{itemize}
461                 \item Simulate behaviour of circuit
462                 \item Use of instrumentation amplifier on ADC5 to make off-ground measurements
463                 \item Use of low pass filter on ADC5
464         \end{itemize}
465         \item Include references to all datasheets, etc
466         \item Vacuum chamber
467         \begin{itemize}
468                 \item Base pressure with rotary pump? Was 1e-3 after 30 minutes at start of year, but probably introduced leaks since then
469                 \item Lowest pressure achieved with turbo pump is 1.1e-7 mbar as of 25/07.
470                 \item Viton gaskets on some seals. Copper on other.
471                 \item Flanges:
472                 \begin{enumerate}
473                         \item View window (large, view of sample \& sputtering filaments)
474                         \item Rotation manipulator \& sample mount
475                         \item Pump inlet
476                         \item Filament flanges 1 (used earlier in year, not anymore) and 2
477                         \item Inlet with leak valve (for introducing gases into chamber)
478                         \item Vent valve on turbo pump
479                         \item Electron gun flange
480                         \item View window (small, view of back of electron gun)                 
481                 \end{enumerate}
482         \end{itemize}
483 \end{itemize}
484
485 \section*{Appendix A - Electron Gun Control and Current Measurement Circuit}
486
487 Figure \ref{} shows the complete electron gun control circuit. The circuit was designed and constructed as part of this project. The design is based upon examples found in \cite{komolov} and \cite{Moore}.
488
489 s
490
491
492 \section*{Appendix B - DAC/ADC Box - Hardware}
493
494 \subsection*{Overview}
495
496 In order to automate TCS experiments, both Digital to Analogue and Analogue to Digital Convertors were required (DAC and ADC). To provide these, a custom DAC/ADC Box was designed and constructed. The box can be controlled by any conventional computer with available RS-232 serial communication (COM) ports. Most modern computers no longer feature COM ports; a commercially available convertor can be used to interface between the box's RS-232 output and a standard Universal Serial Bus (USB) port.
497
498
499 The key components of the DAC/ADC box hardware include:
500
501 \begin{itemize}
502         \item Microprocessor (AVR Butterfly ATMega169)
503         \item Four Analogue to Digital Converter (ADC) inputs
504         \item Single Digital to Analogue Converter (DAC) output (Microchip MCP4922)
505         \item Analogue electronics for amplification at ADC inputs and DAC outputs
506         \item Seperate power supply circuitry for Digital and Analogue electronics
507         \item RS-232 communications for control by a conventional PC or laptop
508 \end{itemize}
509
510 \subsection*{Microprocessor}
511 The DAC/ADC box has been based upon Atmel's AVR Butterfly; an inexpensive and simple demonstration board for the ATMega169 16 Bit microprocessor. The features of the AVR Butterfly include easily accessible ports for Analogue to Digital Convertor (ADC) inputs and digital input/output, an onboard Universal Asynchronous Reciever/Transmitter (USART) for RS-232 serial communications, and a 6 character Liquid Crystal Display (LCD). The AVR Butterfly can be programmed using a conventional computer over the USART using a RS-232 COM port. For modern computers (which do not usually posess COM ports), a RS-232 to USB converter may be used.
512
513 Figure \ref{avr_butterfly.pdf} is a labelled photograph of the AVR Butterfly, showing the use of each port in this project.
514
515 %Figure of Butterfly
516 \begin{center}
517   \includegraphics[scale=0.50]{figures/atavrbfly.jpg}
518 \end{center}
519
520 Unless otherwise stated, all voltage differences are specified relative to the power supply ground of the AVR Butterfly.
521
522 \subsection*{ADC Inputs}
523
524 The AVR Butterfly offers easy access to four of the ATMega169's ADCs through PORTF. Each ADC is capable of measuring voltages of $0 < V_{\text{adc}} < V_{cc}$ with 10 Bit resolution. For measuring voltages outside this range, some circuitry is required between the input voltage and the ADC input. In addition, it is desirable to provide the ADC with some form of input protection against accidental overloading.  Figure \ref{adc_normal.pdf} shows the input circuit which was used for three of the four available ADCs. 
525
526 \begin{center}
527         \includegraphics[scale=0.50]{figures/adc_normal.pdf}
528         \captionof{figure}{ADC4,6,7 Input} \label{adc_normal.pdf}
529 \end{center}
530
531
532 For making voltage measurements above $V_{cc}$, a voltage divider allows reduction of the voltage at the ADC. By constructing the voltage divider using a variable resistor, the range of measurable inputs could be manually adjusted. 
533
534 The diodes shown in Figure Figure \ref{fig_ADC_normal} ensure that the ADC is protected from accidental exposure to voltages outside the acceptable range. In normal operation both diodes are off. If $V_{\text{adc}}$ were to become greater than the reference point $V_{cc}$, current would flow between the ADC input and the reference point, acting to reduce $V_{\text{adc}}$ until it reached $V_{cc}$. Similarly, if $V_{\text{adc}}$ fell below ground, current would flow from ground to the ADC input, acting to increase $V_{\text{adc}}$ until it reached ground.
535
536 The voltage at the ADC input can be related to the input of the voltage divider using Kirchoff's Voltage Law and Ohm's Law:
537 \begin{align*}
538  V_{\text{adc}} &= \frac{R_1}{R_1 + R_2} V_{\text{in}}
539 \end{align*}
540 Where $V_{\text{in}}$ is the voltage at the input of the circuit, $R_1$ is a fixed resistor, and $R_2$ is variable resistor.
541
542 $V_{\text{in}}$ can be therefore be determined from the registered ADC counts by:
543 \begin{align*}
544         V_{\text{in}} &= \frac{\text{ADC counts}}{2^{10}} \times \frac{R_1 + R_2}{R_1} V_{cc}
545 \end{align*}
546
547 \subsubsection*{Differential ADC Input}
548
549 During the testing of the TCS experimental apparatus, it became desirable to measure the emission current of the electron gun. The electrometer used for this current measurement was capable of producing an analogue output in the range of $0-1V$. However, the negative terminal of this output was not at ground potential, but rather at the same terminal as the negative input terminal. Directly connecting the electrometer output to one of the ADC inputs discussed above would create a short circuit between the initial energy power supply, and ground (refer to Figures \ref{} and \ref{}). Therefore, it was decided to add a differential stage before the input of one of the ADCs.
550
551 Figure \ref{} shows the modification made to the input for ADC5 on the AVR Butterfly. The original voltage divider and input protection discussed above are still present. The modifications include the addition of an instrumentation amplifier, and low pass filters.
552
553 The instrumentation amplifier consists of two stages of operational amplifiers (op-amps); input buffers, and a difference amplifier.
554 The difference amplifier can be shown using the ideal op-amp model to produce an output voltage proportional to the difference between its inputs:
555
556 \begin{align*}
557         V_{out} &= \frac{R_2}{R_1} \left(V_{2} - V_{1}\right)
558 \end{align*}
559
560 The two op-amps at the inputs to the differential amplifier act as unity gain buffers. Although the output of the unity gain buffer is equal to the input on its positive terminal, the buffer prevents current from flowing from the positive terminal to ground. With the buffer amplifiers absent, a current of: would flow between each of the input terminals and ground.
561
562 Instrumentation amplifiers are usually constructed in the schematic shown in Figure \ref{}. In this version, the gain of the amplifier can be changed by altering a single resistor. However, more resistors are required. The version actually constructed was designed based upon the small number of resistors available, within a short time frame. Although the design could have later been changed, this would have been of no real benefit, since there was no requirement to adjust the gain of the amplifier.
563
564 In principle, two ADC channels could be used to record the positive and negative outputs of the electrometer seperately, with differencing done in software. However this would require modification to the output cable of the electrometer, which may prove inconvenient for future uses.It was decided that the modification of the cable and added complexity of the software required would be more time consuming than differencing the two inputs using the hardware methods described above.
565
566 The low pass filters were added to the inputs of ADC5 after it was found that an unacceptable level of AC noise was being output by the electrometer. The level of noise was too high to be filtered in software, for reasons that will be discussed in Appendix D.
567
568 \subsection*{Power Supplies}
569 Due to the presence of both analogue and digital electronics in the DAC/ADC box, three seperate supply voltages were required:
570 \begin{enumerate}
571         \item Digital logic in the range $3 \to 4.5$V
572         \item Positive op-amp supply in the range $10 \to 15$V
573         \item Negative op-amp supply in the range $-10 \to -15$V
574 \end{enumerate}
575
576 Circuitry was designed which allowed two seperate single pole power supplies to be used for Digital logic and the op-amps. A dual 0-30V DC power supply has been used for both digital and analogue circuitry.
577
578 \subsubsection*{Logic Power Supply}
579 The AVR Butterfly runs off $3V < V_{cc} < 4.5V$ DC. Since $V_{cc}$ was also used as the reference voltage for the ADCs and DAC output, it was desirable that $V_{cc}$ be kept constant, despite the absolute level of the power supply. A $3.3V$ voltage regulator has been used for this purpose. The capacitor further smooths the output by shorting high frequency fluctuations to ground.
580
581 When the DAC/ADC box was first constructed $V_{cc}$ was supplied by three $1.5V$ batteries. However, due to higher than expected power usage, and the unreliability of the voltage regulator as the input voltage fell below $4V$, inputs for an external power supply were later added.
582
583 \subsubsection*{Op-amp Power Supply}
584 The DAC/ADC box circuitry involves several operational amplifiers (LF356), which require dual $\pm 10-15V$ supplies. As there were no dual $\pm$ power supplies available, a single $30V$ power supply was used, with the circuit shown in figure \ref{fig_opamp_supply} used to produce $\pm 15V$ relative to ground.
585
586 The buffer amplifier ensures that negligable current can flow from the power supply into the logic and ADC circuits, whilst the capacitor removes high frequency fluctuations of the power supply relative to ground.
587
588 To simplify circuit diagrams, op-amps will be drawn with the power supply connections ommitted from this point onwards.
589
590 \subsection*{DAC Output}
591 A commercial DAC board was used to produce the DAC output. The Microchip MCP4922 ET-Mini DAC is controlled by the AVR Butterfly using Motorola's Serial Peripheral Interface (SPI) Bus. The software used to implement SPI between the MCP4922 and the AVR Butterfly is discussed in Appendix D.
592
593 The ET-Mini DAC can only be powered off $3V$ to $5V$. Using $V_{cc} = 3.3V$ means that the DAC output cannot exceed $V_{cc} = 3.3V$. For TCS, energies of up to $15eV$ are required, so amplification of the DAC output was clearly necessary. A simple non-inverting amplifier with a manually adjustable gain was used to amplify the DAC output by a factor of three. This output was then used to control a laboratory power supply to produce the full range of initial energies.
594
595 \subsection*{RS-232 Communications}
596
597 The AVR Butterfly features an onboard USART, which can be used both for programming and communication with the ATMega169 processor. The RS-232 communications requires only three wires; Recieve (RX), Transmit (TX) and a common ground. 
598
599 The requirement that the AVR Butterfly share a common ground with the controlling computer lead to increased noise through ground loops. This is discussed in more detail in Appendix D.
600
601 Although the RS-232 is relatively simple to implement, which makes it ideal for non-proprietry microprocessor applications, most modern computers no longer feature RS-232 COM ports. Although a computer with COM ports was available at CAMSP, due to the extreme unreliability of this computer, it was quickly replaced with a laptop that did not possess COM ports, and a commercial RS-232 to USB converter was used to interface with the laptop.
602
603 \pagebreak
604 \bibliographystyle{unsrt}
605 \bibliography{thesis}
606
607 \end{document}
608

UCC git Repository :: git.ucc.asn.au